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買內(nèi)存頻率最重要？從DDR5的窘境就知道，真相并不是這樣

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買內(nèi)存頻率最重要？從DDR5的窘境就知道，真相并不是這樣


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買內(nèi)存頻率最重要？從DDR5的窘境就知道，真相并不是這樣


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內(nèi)存作為電腦系統(tǒng)的核心硬件 ， 其性能也影響到整個電腦平臺整體的性能的表現(xiàn) 。 如何衡量一款內(nèi)存性能如何呢？看頻率不就知道了 ， 相信很多用戶都是這么想的 。 雖說頻率是衡量內(nèi)存性能的重要指標 ， 不過只看頻率也有問題 。

剛剛上市的DDR5上就出現(xiàn)了這樣尷尬的場面：雖說產(chǎn)品頻率大幅領(lǐng)先于DDR4內(nèi)存 ， 可是性能表現(xiàn)卻沒提升多少 。 為什么會出現(xiàn)這種情況呢？那是因為影響內(nèi)存性能發(fā)揮的還有其他因素 。 今天我們就來聊聊這方面的內(nèi)容 。
DDR5為何頻率超高 ， 性能提升卻相當有限如果僅僅看DDR5內(nèi)存的技術(shù)特點 ， 可以說該產(chǎn)品得到了“史詩級”的加強 。 頻率上DDR5起步就是4800MHz ， 達到了DDR4 2400MHz頻率的兩倍 ， 最高甚至可以達到8400MHz 。 DDR5內(nèi)存工作的電壓從前代的1.2V下降到1.1V ， 這標志著更低的運行功率的同時 ， DDR5電源管理從主板轉(zhuǎn)移到內(nèi)存條本身 ， 從而帶來對系統(tǒng)電源負載更為細化的管理 ， 既能解決信號完整性和噪音問題 ， 也避免了因主板供電縮水而導(dǎo)致的內(nèi)存供電不足進而影響性能發(fā)揮的問題 。 DDR5的總位寬依然是72位 ， 不過分成了40位和32位的雙通道 ， 可以提高內(nèi)存的訪問效率 。 除此之外 ， DDR5內(nèi)存還有改善了并發(fā)性的更長的突發(fā)長度、支持更高容量的DRAM顆粒等特性 。

看了以上DDR5內(nèi)存的特點介紹 ， 相信很多人最大的印象是DDR5頻率得到了大幅提升 ， 想必性能也隨之增強了吧 。 理想很美好 ， 現(xiàn)實卻很骨感 。

從國內(nèi)某知名媒體的測試數(shù)據(jù)可以看到 ， 雖說DDR5 4800MHz的頻率更高 ， 但是在面對DDR4 3600MHz內(nèi)存的時候 ， 整個平臺的性能表現(xiàn)卻沒有明顯的提升 。 DDR5 4800MHz平臺和DDR4 3600MHz平臺的游戲性能互有勝負 ， 總體來說是同一水準 。 不過將DDR5內(nèi)存超頻至5400MHz之后 ， 平臺的游戲性能終于有了一定幅度的提升 ， 不過領(lǐng)先DDR4 3600平臺的優(yōu)勢很有限 。
那么為什么DDR5內(nèi)存的頻率如此給力 ， 性能表現(xiàn)卻如此拉胯呢？問題出在延遲上 。
內(nèi)存的延遲為什么重要內(nèi)存的延遲指的是其接收到處理器發(fā)來的指令后 ， 處理指令所需要的時鐘周期 。 顯然處理指令的時鐘周期越短 ， 內(nèi)存的性能就越好 。
目前DDR5內(nèi)存頗受玩家詬病的地方就在于其延遲大幅提升 。 市面上主流DDR4內(nèi)存的延遲一般是CL15~19 ， 而DDR5產(chǎn)品的時序卻達到了CL38、CL40 ， 雖說頻率翻了倍 ， 可是延遲也幾乎翻倍 。 像前面提到的測試成績中 ， 之所以DDR5內(nèi)存超頻到5400MHz之后性能有了提升 ， 很重要的原因在于延遲從原來的81.5ns爆降到71.8ns 。
所以買內(nèi)存我們不應(yīng)只盯著內(nèi)存頻率 ， 延遲也是需要重點關(guān)注的 。
那么內(nèi)存延遲如何考查呢？關(guān)于內(nèi)存延遲如何考查 ， 主要查看的是內(nèi)存的時序參數(shù) 。 在產(chǎn)品的參數(shù)欄肯定有其相關(guān)的介紹 ， 可是很多用戶的注意力往往都在頻率上了 ， 往往忽略了同樣重要的內(nèi)存時序 。

內(nèi)存時序一般由中間用破折號隔開的4個數(shù)字組成 ， 這4個數(shù)字分別對應(yīng)的是CL、tRCD、tRP、tRAS等項目的延遲 ， 具體來說CL（CAS Latency）：列地址訪問的延遲時間；tRCD（RAS to CAS Delay）代表的是內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間；tRP（RAS Precharge Time）為內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時間；tRAS（RAS Active Time）代表的是行地址激活的時間 。 這其中CL延遲最為關(guān)鍵 ， 所以我們經(jīng)常用CLXX來代表整個內(nèi)存的延遲表現(xiàn) 。
【買內(nèi)存頻率最重要？從DDR5的窘境就知道，真相并不是這樣】高頻率和低時序是矛盾的 ， 一般內(nèi)存要想達到較高的頻率就不得不在時序上做出犧牲 。 所以在購買內(nèi)存的時候 ， 同頻產(chǎn)品就得比時序 。 比如以后你再要購買內(nèi)存產(chǎn)品 ， 都是DDR4 3200內(nèi)存 ， 一款是CL16、一款是CL18 ， 這下你就知道該如何選擇了吧 。


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